[发明专利]离子注入系统及方法有效

专利信息
申请号: 201080054595.9 申请日: 2010-10-25
公开(公告)号: CN102668016A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: E·E·琼斯;S·N·叶德弗;唐瀛;B·L·钱伯斯;R·凯姆;J·D·斯威尼;O·拜尔;邹鹏 申请(专利权)人: 先进科技材料股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01L21/265
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;韩宏
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种离子注入系统及方法,提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却,以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料,或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置,以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测,以及源寿命的最优化,以实现离子注入系统的有效操作。
搜索关键词: 离子 注入 系统 方法
【主权项】:
一种离子注入系统,包括:离子源,包括设置为在其中对气体进行离子化的电弧腔室;掺杂气体源;掺杂气体馈送线路,用于将掺杂气体从所述掺杂气体源引入所述电弧腔室;以及冷却结构,与所述掺杂气体馈送线路相关联,并且设置为冷却所述掺杂气体馈送线路中的掺杂气体,从而对抗由所述电弧腔室的操作中生成的热量对所述掺杂气体的加热,以及由这样的热量造成的所述掺杂气体的分解。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进科技材料股份有限公司,未经先进科技材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080054595.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top