[发明专利]用于控制并联连接的至少两个功率半导体的系统和方法有效
| 申请号： | 201080054704.7 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102754345A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | S.克拉卡;S.哈特曼 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/06 | 分类号： | H03K17/06;H03K17/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;李家麟 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 根据本发明的系统包括至少两个功率半导体芯片(1,2,3,4)，它们并联连接并且各包括用于通过第一栅极电压在阻断状态开关功率半导体芯片(1,2,3,4)并用于通过第二栅极电压在导通状态开关功率半导体芯片(1,2,3,4)的栅极端子。该系统还包括适合于将第一栅极电压或第二栅极电压施加到至少两个功率半导体芯片(1,2,3,4)的栅极端子的控制构件(16,57)。控制构件(16)适合于当功率半导体芯片(1,2,3,4)出故障时，将第三栅极电压施加到至少一个其余功率半导体芯片(1,2,3,4)的栅极端子，并且第三栅极电压高于第二栅极电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 并联 连接 至少 两个 功率 半导体 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种系统，包括：‑至少两个功率半导体芯片(1,2,3,4)，并联连接并且各包括栅极端子，所述栅极端子用于通过第一栅极电压在阻断状态开关所述功率半导体芯片(1,2,3,4)并用于通过第二栅极电压在导通状态开关所述功率半导体芯片(1,2,3,4)；以及‑控制构件(16,17;55,56,57)，适合于将第一栅极电压或第二栅极电压施加到所述至少两个功率半导体芯片(1,2,3,4)的所述栅极端子；其特征在于：所述控制构件(16,17;55,56,57)适合于当所述至少两个功率半导体芯片(1,2,3,4)中的功率半导体芯片(1,2,3,4)出故障时，将第三栅极电压施加到所述至少一个其余功率半导体芯片(1,2,3,4)的所述栅极端子，并且所述第三栅极电压超过所述第二栅极电压。
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