[发明专利]氟气生成装置无效
| 申请号： | 201080054728.2 | 申请日： | 2010-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102762772A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 八尾章史;宫崎达夫;中村阳介;中原启太;德永敦之 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | C25B1/24 | 分类号： | C25B1/24;C25B9/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及通过将熔融盐中的氟化氢电解从而生成氟气的氟气生成装置，其包括：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入该第1气室，在浸渍于熔融盐的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入该第2气室；氟化氢供给源，其积存有用于补充到电解槽中的氟化氢；精制装置，其捕集从电解槽的熔融盐中气化而混入到由所述阳极生成的主产气体中的氟化氢气体并精制氟气；以及回收设备，其将用精制装置捕集的氟化氢输送到电解槽或氟化氢供给源并进行回收。 | ||
| 搜索关键词： | 氟气 生成 装置 | ||
【主权项】：
一种氟气生成装置，其通过将熔融盐中的氟化氢电解，从而生成氟气，该装置具备：电解槽，其在熔融盐液面上隔离、划分为第1气室和第2气室，在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气为主成分的主产气体被导入所述第1气室，在浸渍于熔融盐的阴极处生成的以氢气为主成分的副产气体被导入所述第2气室；氟化氢供给源，其中积存有用于补充到所述电解槽中的氟化氢；精制装置，其捕集从所述电解槽的熔融盐中气化而混入到由所述阳极生成的主产气体中的氟化氢气体，从而精制氟气；以及回收设备，其将用所述精制装置捕集的氟化氢输送到所述电解槽或所述氟化氢供给源，进行回收。
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