[发明专利]Ω形状的纳米线场效应晶体管有效
| 申请号： | 201080054741.8 | 申请日： | 2010-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102640270A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | J·斯莱特;S·邦萨伦蒂普;G·科亨;J·常 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/775 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;边海梅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，包括在半导体衬底(100)上形成纳米线(110)；在纳米线的第一部分上形成栅极结构；形成与第一栅极结构的侧壁相邻并且在纳米线的从第一栅极结构延伸的部分之上的第一保护性间隔物(604)；移除纳米线的未受第一间隔物保护的露出部分；以及在纳米线的露出截面上外延生长掺杂的半导体材料(902)以形成第一源极区域和第一漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 形状 纳米 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种用于形成纳米线场效应晶体管(FET)器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成纳米线；在所述纳米线的第一部分上形成第一栅极结构；形成与所述第一栅极结构的侧壁相邻并且在所述纳米线的从所述第一栅极结构延伸的部分之上的第一保护性间隔物；移除所述纳米线的未受所述第一间隔物保护的露出部分；以及在所述纳米线的露出的截面上外延生长掺杂的半导体材料以形成第一源极区域和第一漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
