[发明专利]清洁气体无效
申请号: | 201080054753.0 | 申请日: | 2010-11-19 |
公开(公告)号: | CN102639748A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 高田直门;毛利勇 | 申请(专利权)人: | 中央硝子株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C14/00;H01L21/31 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开的是包含CHF2COF而成的用于去除堆积物的清洁气体。该清洁气体可包含O2、O3、CO、CO2、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、XFn(式中,X表示Cl、I或者Br,n表示1≤n≤7的整数。)、CH4、CH3F、CH2F2、CHF3、N2、He、Ar、Ne、Kr等,可适用于包含W、Ti、Mo、Re、Ge、P、Si、V、Nb、Ta、Se、Te、Mo、Re、Os、Ir、Sb、Ge、Au、Ag、As、Cr及其化合物等的堆积物。该清洁气体不仅清洁性能优异,且容易获取,实质上不副产对环境造成负担的CF4。 | ||
搜索关键词: | 清洁 气体 | ||
【主权项】:
一种清洁气体,其包含CHF2COF而成,用于去除在使用化学气相沉积法即CVD法、金属有机物化学气相沉积法即MOCCD、溅射法、溶胶凝胶法或者蒸镀法制造薄膜、厚膜、粉末或者晶须时附带地堆积于制造装置的内壁或其附属装置的堆积物。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的