[发明专利]制备卤化聚硅烷的方法

摘要

本发明涉及一种用于制备作为纯化合物或化合物混合物的卤化聚硅烷的方法，所述混合物在尤其是含硼的化合物方面具有特殊的纯度。本发明的一种实施形式提供了由混合物制备通式为HpSin-pX(2n+2)-p，其中n＝1至50；0≤p≤2n+1且X＝F，Cl，Br，I的，作为单一化合物或化合物混合物的卤化聚硅烷的方法，其中所述混合物已经包含卤化聚硅烷或在所述混合物中形成卤化聚硅烷。所述混合物附加地包含含硼的杂质。所述方法包括方法步骤：c)所述混合物与至少1ppbw(以重量计的十亿分之一)的形成硅氧烷的氧化剂或硅氧烷自身反应，其中含硼的杂质与硅氧烷形成具有不同于卤化聚硅烷的挥发性和/或溶解性的化合物；和d)将所述卤化聚硅烷与上述化合物分离，其中在实施方法过程中存在最多1ppmw的水和最少1ppbw的硅氧烷。

主权项

一种用于制备卤化聚硅烷HpSin‑pX(2n+2)‑p的方法，其中n＝1至50；0≤p≤2n+1且X＝F，Cl，Br，I，所述卤化聚硅烷是作为单一化合物或化合物混合物的卤化聚硅烷，所述制备由包含卤化聚硅烷的混合物或在其中形成卤化聚硅烷的混合物进行，所述混合物附加地包含含硼的杂质，其中，a)所述混合物与至少1ppbw(以重量计的十亿分之一)的、形成硅氧烷的氧化剂或硅氧烷混合，其中含硼的杂质形成具有不同于卤化聚硅烷的挥发性和/或溶解性的化合物；和b)将卤化聚硅烷与所述化合物分离，其中在方法过程中存在最多1ppmw的水和最少1ppbw的硅氧烷。