[发明专利]噻吩并吡嗪化合物和含有其的场效应晶体管无效

专利信息
申请号: 201080055572.X 申请日: 2010-12-06
公开(公告)号: CN102781945A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 山下敬郎;中山光;杉冈尚 申请(专利权)人: 国立大学法人东京工业大学;可乐丽股份有限公司
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 胡烨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供用作为有机半导体材料的噻吩并吡嗪化合物,以及能够通过涂布法或印刷法简便地将含有所述噻吩并吡嗪化合物的有机半导体材料成膜而形成有机半导体层且显示高载流子迁移率和电流开/关比的有机场效应晶体管,该有机场效应晶体管具有单极型特性。噻吩并吡嗪化合物如下述化学式(I)所示。【化1】(式中,Ar1和Ar2为芳基、R1和R2为相互独立的氢原子、烷基或芳基、或者相互键合成环的基团)。
搜索关键词: 噻吩 化合物 含有 场效应 晶体管
【主权项】:
1.一种噻吩并吡嗪化合物,其特征在于,如下述化学式(I)所示,【化1】式中,Ar1和Ar2为可以具有取代基的芳基,R1和R2为相互独立的氢原子、可以具有取代基的烷基、或可以具有取代基的芳基、或者相互键合成环的基团。
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