[发明专利]半导体器件

摘要

本发明的半导体存储器件由在衬底上排列有6个MOS晶体管的静态型存储单元所构成。所述6个MOS晶体管分别由用以存取存储器的第1及第2NMOS存取晶体管、用以驱动用来保持存储单元的数据的存储节点的第3及第4NMOS驱动晶体管、及供给用以保持存储单元的数据的电荷的第1及第2PMOS负载晶体管所构成。用以存取存储器的第1及第2NMOS存取晶体管，在与衬底垂直的方向阶层地配置有第1扩散层、柱状半导体层及第2扩散层；所述柱状半导体层配置在所述第1扩散层与所述第2扩散层之间，且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极。用以保持存储单元的数据而驱动存储节点的第3及第4NMOS驱动晶体管，在与衬底垂直的方向阶层地配置有第3扩散层、柱状半导体层及第4扩散层，所述柱状半导体层配置在所述第3扩散层与所述第4扩散层之间，且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极；用以保持存储单元的数据而供给电荷的第1及第2PMOS负载晶体管分别在与衬底垂直的方向阶层地配置有第5扩散层、柱状半导体层及第6扩散层，所述柱状半导体层配置在所述第5扩散层与所述第6扩散层之间，且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极。再者，形成第3及第4NMOS驱动晶体管的第3扩散层的上端与第4扩散层的下端之间的长度，比形成第1及第2NMOS存取晶体管的第1扩散层的上端与第2扩散层的下端之间的长度为短。

主权项

一种半导体器件，为具备在衬底上排列有6个MOS晶体管的静态型存储单元的半导体存储器件，其特征在于，所述6个MOS晶体管由用以存取存储器的第1及第2NMOS存取晶体管、用以驱动用来保持存储单元的数据的存储节点的第3及第4NMOS驱动晶体管、及供给用以保持存储单元的数据的电荷的第1及第2PMOS负载晶体管所构成，用以存取存储器的第1及第2NMOS存取晶体管，分别以使柱状半导体层配置在第1扩散层与第2扩散层之间的方式在与衬底垂直的方向阶层地配置有所述第1扩散层、所述柱状半导体层及所述第2扩散层，且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极；用以保持存储单元的数据而驱动存储节点的第3及第4NMOS驱动晶体管，分别以使柱状半导体层配置在第3扩散层与第4扩散层之间的方式在与衬底垂直的方向阶层地配置有所述第3扩散层、所述柱状半导体层及所述第4扩散层，且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极；用以保持存储单元的数据而供给电荷的第1及第2PMOS负载晶体管，分别以使柱状半导体层配置在第5扩散层与第6扩散层之间的方式在与衬底垂直的方向阶层地配置有所述第5扩散层、所述柱状半导体层及所述第6扩散层，且在所述柱状半导体层的侧壁形成有栅极；所述第1扩散层、第3扩散层、第5扩散层分别与衬底电性绝缘地配置；形成所述第3及第4NMOS驱动晶体管的第3扩散层的上端与第4扩散层的下端之间的长度，比形成第1及第2NMOS存取晶体管的第1扩散层的上端与第2扩散层的下端之间的长度为短。