[发明专利]激光剥离系统及方法有效

专利信息
申请号: 201080055594.6 申请日: 2010-12-07
公开(公告)号: CN102714150A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: J·P·赛塞尔;M·门德斯;胡吉 申请(专利权)人: JP赛席尔联合股份有限公司
主分类号: H01L21/30 分类号: H01L21/30
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 美国新罕*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供激光剥离系统及方法,其可用于经由以下方式来提供整体式激光剥离并使裂纹最小:减小一或多个光束点在一或多个维度上的大小以减小羽烟压力(plume pressure)、同时维持足够的能量以达成分离。经由照射具有各种形状及呈各种图案的照射区,该等激光剥离系统及方法可更有效地利用激光能、减少在层分离时的裂纹并提高生产率。本文所述的某些激光剥离系统及方法经由照射使激光剥离区(lift off zone;LOZ)延伸超出照射区的非邻接照射区来分离各个材料层。本文所述的其他激光剥离系统及方法经由对照射区进行成型及经由以能避免工件被不均匀曝光的方式控制各照射区的交迭来分离各个材料层。根据至少一实施例,一种激光剥离系统及方法可用于在一半导体晶圆的一基板上提供对一或多个外延层的整体式剥离。
搜索关键词: 激光 剥离 系统 方法
【主权项】:
一种用于分离材料层的激光剥离方法,该方法包含:提供工件,该工件包含至少一第一材料层及第二材料层;产生至少一激光光束;以及以该至少一激光光束所形成的一光束点,照射该第一材料层与该第二材料层之间介面处的非邻接照射区,其中在该介面处各该照射区周围形成剥离区,所述剥离区延伸超出所述照射区的尺寸,其中照射所述照射区的该激光光束的激光能量足以使所述层在所述剥离区中分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JP赛席尔联合股份有限公司,未经JP赛席尔联合股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080055594.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top