[发明专利]激光剥离系统及方法有效
申请号: | 201080055594.6 | 申请日: | 2010-12-07 |
公开(公告)号: | CN102714150A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | J·P·赛塞尔;M·门德斯;胡吉 | 申请(专利权)人: | JP赛席尔联合股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/30 | 分类号: | H01L21/30 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供激光剥离系统及方法,其可用于经由以下方式来提供整体式激光剥离并使裂纹最小:减小一或多个光束点在一或多个维度上的大小以减小羽烟压力(plume pressure)、同时维持足够的能量以达成分离。经由照射具有各种形状及呈各种图案的照射区,该等激光剥离系统及方法可更有效地利用激光能、减少在层分离时的裂纹并提高生产率。本文所述的某些激光剥离系统及方法经由照射使激光剥离区(lift off zone;LOZ)延伸超出照射区的非邻接照射区来分离各个材料层。本文所述的其他激光剥离系统及方法经由对照射区进行成型及经由以能避免工件被不均匀曝光的方式控制各照射区的交迭来分离各个材料层。根据至少一实施例,一种激光剥离系统及方法可用于在一半导体晶圆的一基板上提供对一或多个外延层的整体式剥离。 | ||
搜索关键词: | 激光 剥离 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种用于分离材料层的激光剥离方法,该方法包含:提供工件,该工件包含至少一第一材料层及第二材料层;产生至少一激光光束;以及以该至少一激光光束所形成的一光束点,照射该第一材料层与该第二材料层之间介面处的非邻接照射区,其中在该介面处各该照射区周围形成剥离区,所述剥离区延伸超出所述照射区的尺寸,其中照射所述照射区的该激光光束的激光能量足以使所述层在所述剥离区中分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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