[发明专利]新颖间隙填充整合有效
| 申请号： | 201080055670.3 | 申请日： | 2010-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102652353A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 恺晗·阿什蒂亚尼;迈克尔·伍德;约翰·德鲁瑞;庄田尚弘;巴尔特·范施拉文迪杰克;拉克什米纳拉亚那·尼塔拉;内里萨·德拉热 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 沈锦华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供新颖间隙填充方案，所述方案涉及沉积可流动氧化物膜及高密度等离子体化学气相沉积氧化物(HDP氧化物)膜两者。根据各种实施例，所述可流动氧化物膜可用作牺牲层及/或用作用于自底向上间隙填充的材料。在某些实施例中，经填充间隙的顶部表面为HDP氧化物膜。所得经填充间隙可仅用HDP氧化物膜进行填充，或用HDP氧化物膜与可流动氧化物膜的组合进行填充。所述方法提供改进的顶帽减小且避免界定所述间隙的结构的截割。 | ||
| 搜索关键词： | 新颖 间隙 填充 整合 | ||
【主权项】：
一种填充半导体衬底上的未经填充的间隙的方法，所述方法包含：将可流动电介质膜沉积于所述间隙中以部分地填充所述间隙；在用所述可流动电介质膜部分地填充所述间隙之后，经由高密度等离子体化学气相沉积反应将高密度等离子体化学气相沉积HDP‑CVD电介质膜沉积于所述间隙中以完成所述间隙的填充，其中在所述后续HDP‑CVD沉积之前所述可流动电介质膜未经固化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺发系统有限公司，未经诺发系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080055670.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
