[发明专利]贴合晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201080056111.4 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102652347A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 冈哲史;阿贺浩司;加藤正弘;能登宣彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种贴合晶片的制造方法，所述方法对通过离子注入剥离法制造而成的贴合晶片，在含有氢或氯化氢的环境中，施行将薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于：将在平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用以载置上述贴合晶片。由此，可提供一种贴合晶片的制造方法，针对离子注入剥离法，即便进行用以将剥离后的贴合晶片的薄膜表面平坦化的热处理时，也能得到一种贴合晶片，该贴合晶片具有膜厚度均匀性优良的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种贴合晶片的制造方法，所述方法是先从接合晶片的表面离子注入氢离子、稀有气体离子中的至少一种类的气体离子而形成离子注入层，然后直接或经由氧化膜来贴合上述接合晶片的离子注入后的表面与基底晶片的表面后，以上述离子注入层为界来使接合晶片剥离，由此，来制造出在上述基体晶片上具有薄膜的贴合晶片，随后，在含有氢或氯化氢的环境中，对该贴合晶片施行将上述薄膜的表面平坦化的热处理，其中，所述贴合晶片的制造方法的特征在于，将在上述平坦化热处理时所使用的基座的表面，预先利用硅膜进行包覆，该基座是用来载置上述贴合晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
