[发明专利]极低硅损失高剂量植入剥离

摘要

本发明提供用于从工件表面剥离光致抗蚀剂并移除离子植入相关残留物的改进的方法。根据各种实施例，使用元素氢、含氟气体及保护剂气体来产生等离子体。经等离子体活化的气体与高剂量植入抗蚀剂发生反应，从而移除结壳及块体抗蚀剂层两者，并同时保护所述工件表面的暴露部分。在低硅损失的情况下，所述工件表面大体上无残留物。

主权项

一种在反应室中从硅表面移除高剂量植入的抗蚀剂的方法，所述方法包括：从包括分子氢、不含碳的含氟气体及化合物的工艺气体混合物形成第一等离子体，其中所述化合物为选自含碳化合物、含氮化合物或含氟化合物的化合物，其中所述第一等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气，其中所述不含碳的含氟气体与所述化合物以第一体积流量比率提供；使所述硅表暴露于所述第一等离子体以由此以第一蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的侧面结壳和顶部结壳中的一者；改变所述不含碳的含氟气体及所述化合物的所述体积流量比率以形成第二等离子体，其中所述第二等离子体的主要蚀刻剂组分为HF蒸气；及使所述硅表面暴露于所述第二等离子体以由此以不同于所述第一蚀刻速率的第二蚀刻速率从所述硅表面移除所述高剂量植入的抗蚀剂的所述侧面结壳和所述顶部结壳中的另一者。