[发明专利]具有弧形栅极氧化物轮廓的分栅式半导体装置有效
| 申请号： | 201080056215.5 | 申请日： | 2010-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102656696A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | Y.高;K-I.陈;K.特里尔;S.史 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 李国华;沙捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 分栅式半导体装置包括沟槽式栅极，其具有第一电极区和第二电极区，该第一电极区和第二电极区通过栅极氧化层和相邻的电介质层彼此分开。该栅极氧化层和电介质层的边界是弧形的，以避免在栅极氧化层交会沟槽侧壁处为尖锐转角。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 弧形 栅极 氧化物 轮廓 分栅式 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：源极区；漏极区；和沟槽式栅极，其包括第一电极区和第二电极区，该第一电极区和第二电极区通过与电介质层相邻的栅极氧化层彼此分开，其中，所述栅极氧化层和所述电介质层的边界是弧形的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维西埃-硅化物公司，未经维西埃-硅化物公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080056215.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
