[发明专利]具有开关的相变存储器的高能效置位写入有效
| 申请号： | 201080056313.9 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102656641A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | D·考;J·卡尔布;E·卡波夫;G·司帕迪尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;G11C16/34;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文大体描述了具有开关的相变存储器的高能效置位写入的装置和方法的实施例。描述和要求了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 开关 相变 存储器 能效 写入 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：使用低能量置位脉冲起动存取设备并对相变存储器开关(PCMS)的PCM存储元件中的相变材料(PCM)作写入操作，其中在对PCM作写入操作后，所述PCM存储元件包括无定形的体积；以及使用界限电压对PCMS作读出操作。
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