[发明专利]III-V族半导体器件的电导率改善有效
| 申请号： | 201080056376.4 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102652363A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | J·T·卡瓦列罗斯;W·拉赫马迪;N·慕克吉;M·拉多萨夫列维奇;N·魁;Y·J·李;P·马吉;W·蔡;G·杜威 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了III-V族半导体器件中的电导率改善。第一改善包括不与沟道层共平面延伸的阻挡层。第二改善包括对金属/Si、Ge或硅锗/III-V族叠置体的退火，以在Si和/或锗掺杂的III-V族层上形成金属-硅、金属-锗或金属-硅锗层。然后，去除金属层并且在金属-硅、金属-锗或金属-硅锗层上形成源极/漏极电极。第三改善包括在III-V族沟道层上形成IV族元素和/或VI族元素，并且进行退火，以便用IV族和/或VI族物种掺杂III-V族沟道层。第四改善包括在III-V族器件的存取区域上形成钝化层和/或偶极子层。 | ||
| 搜索关键词： | iii 半导体器件 电导率 改善 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括栅极电极之下的第一半导体材料；所述栅极电极之下的第二半导体材料，所述第一半导体材料不同于所述第二半导体材料，并且与所述第二半导体材料接触以形成异质结；从源极电极至漏极电极的路径，当所述晶体管是激活的时，载流子沿所述路径行进，所述路径包括所述第二材料，所述路径不穿过所述异质结。
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