[发明专利]具有采用水平电场的调制器的光学器件有效
| 申请号： | 201080057343.1 | 申请日： | 2010-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102741720A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 冯大增;董坡;冯宁宁;M.亚斯格利 | 申请（专利权）人： | 科途嘉光电公司 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 光学器件包括在基底上的波导。器件还包括在基底上的调制器。调制器包括配置成从波导接收光信号的电吸收介质。调制器还包括用于在电吸收介质中生成电场的场源。电吸收介质是其中响应于电场在电吸收介质中形成而出现弗朗兹-凯尔迪什效应的介质。场源被配置为使得电场基本上平行于基底。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 采用 水平 电场 调制器 光学 器件 | ||
【主权项】：
一种光学器件，包括：在基底上的波导，该波导配置成引导光信号通过光传输介质；以及置于基底上的调制器， 该调制器包括具有侧面的电吸收介质，所述侧面每个在顶面和底面之间延伸，底面位于基底和顶面之间， 该电吸收介质配置成接收来自波导中的光传输介质的光信号的至少一部分， 该光传输介质和电吸收介质为不同的材料， 场源，配置成用作电吸收介质中电场的源， 该电吸收介质为其中响应于电场在电吸收介质中形成而出现弗朗兹‑凯尔迪什效应的介质， 该场源每个接触所述侧面其中之一并且被场源接触的侧面位于电吸收介质的相对面上。
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