[发明专利]气体注入单元和使用该气体注入单元的薄膜气相沉积设备及方法无效
| 申请号： | 201080057366.2 | 申请日： | 2010-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN102687242A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 朴炯洙 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种气体注入单元和使用该气体注入单元的薄膜气相沉积设备及方法。所述气体注入单元包括：内部管道，通过所述内部管道引入反应气体；外部管道，所述外部管道包围所述内部管道，冷却所述内部管道内的反应气体的冷却液通过所述外部管道流动；以及注入管道，所述注入管道将所述内部管道内的反应气体注入到所述外部管道的外部。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 注入 单元 使用 薄膜 沉积 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于沉积薄层的设备，包括：工艺腔室；基板支撑单元，所述基板支撑单元被配置在所述工艺腔室中，用于支撑基板；加热器，所述加热器加热由所述基板支撑单元支撑的基板；气体注入单元，所述气体注入单元被配置在所述工艺腔室内基板支撑单元的上方；其中，所述气体注入单元包括：内部管道，通过所述内部管道引入反应气体；外部管道，所述外部管道包围所述内部管道，冷却所述内部管道内的反应气体的冷却液通过所述外部管道流动；以及注入管道，所述注入管道将所述内部管道内的反应气体注入到所述外部管道的外部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
