[发明专利]用于处理基片的基片表面的方法和装置有效
| 申请号： | 201080057916.0 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102754198A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | C.施密德 | 申请（专利权）人： | 吉布尔·施密德有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汲长志;杨国治 |
| 地址： | 德国弗罗*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在利用过程介质在基片下侧面上处理平坦的基片的基片表面的方法中，所述过程介质对基片表面具有一种剥蚀的或者说腐蚀的作用。所述基片水平放置地从下面利用所述过程介质润湿。向上指向的基片上侧面利用水或者相应的保护液体大面积地或者说全表面地润湿或者覆盖，从而起到保护作用防止所述过程介质作用到所述基片上侧面上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 表面 方法 装置 | ||
【主权项】：
用于利用过程介质在基片下侧面上处理平坦的基片的基片表面的方法，其中所述过程介质对基片表面具有一种剥蚀的或者说腐蚀的作用，并且其中所述基片水平放置地从下面利用所述过程介质润湿，其特征在于，向上指向的基片上侧面利用水或者相应的保护液体大面积地或者说全表面地润湿或者覆盖，从而起到保护作用防止所述过程介质或者其释放的气体作用到或者到达所述基片上侧面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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