[发明专利]用于生成局部结构化的半导体层的方法无效
| 申请号： | 201080057937.2 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102804409A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 伊夫林·施米希;法比安·基弗;斯蒂芬·雷伯;斯蒂芬·林德库格尔 | 申请（专利权）人： | 弗劳恩霍弗应用技术研究院;弗赖堡阿尔伯特-路德维希大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在衬底上生成局部结构化的半导体层的方法，在蚀刻或掺杂所述衬底时或者半导体衬底被沉积在衬底上时，将活性气体施加到所述衬底的表面。术语“结构化”不仅表示纯机械或拓扑结构而且还表示局部掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生成 局部 结构 半导体 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底上生成局部结构化的半导体层的方法，其中，所述衬底的表面按区域至少一次受到气体的作用，该气体用于在待生成的局部结构化半导体层的区域中的沉积、掺杂和/或刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
