[发明专利]3D沟槽电极检测器无效
| 申请号： | 201080058021.9 | 申请日： | 2010-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN102695967A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 李正 | 申请（专利权）人： | 布鲁克哈文科学协会有限责任公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明披露了一种三维（3D）沟槽检测器以及制造该检测器的方法。3D沟槽检测器包括：具有彼此相隔一主体厚度的第一表面和第二表面的半导体材料的主体，3D沟槽形式的第一电极、以及3D柱形式的第二电极。第一电极和第二电极沿主体厚度延伸至主体中。第一电极和第二电极彼此相隔预定电极距离，并且第一电极大致上沿两个电极延伸到主体中的整个距离环绕第二电极，使得这两个电极基本上彼此同心。制造方法包括围绕主体外围掺杂第一窄且深的区域，以形成第一电极，并且在主体的中心掺杂第二窄且深的区域，以形成第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 电极 检测器 | ||
【主权项】：
一种辐射检测器，包括：半导体材料，具有主体厚度并在上面限定了与第二表面相对的第一表面，所述第二表面与所述第一表面相隔所述主体厚度；第一电极，限定三维（3D）沟槽并沿所述主体厚度从所述第一表面和所述第二表面中的一个或两个延伸至主体中；以及限定3D柱的第二电极，所述第二电极也沿所述主体厚度从所述第一表面和第二表面中的一个或两个延伸至所述主体中，其中，所述第一电极环绕所述第二电极，使得所述第一电极和第二电极基本上彼此平行且同心，以及其中，所述第一电极和所述第二电极彼此相隔由包含在所述第一电极和所述第二电极之间的半导体主体的区域所确定的预定距离。
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