[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，在单元列(A1)的N型阱区域(NW)中设置阱电位供给区域(14n)。以同一间距配置在阱电位供给区域(14n)的横向两侧配置的相邻栅极(15a、15b)、进一步在两侧配置的相邻栅极(15c、15d)。此外，相邻单元列(A2)具有在纵向上分别与相邻栅极(15a～15d)对置的4根栅极(15e～15h)。即，阱电位供给区域(14n)周边的栅极图案维持形状规则性。

主权项

一种半导体装置，在第1方向上排列配置了多个单元列，在每个单元列中，在所述第1方向延伸的多个栅极被排列配置在与所述第1方向正交的第2方向上，所述多个单元列分别具备在所述栅极的下方形成且分别在所述第2方向上延伸的第1导电型阱区域及第2导电型阱区域，作为所述多个单元列之一的第1单元列具备：第1阱电位供给区域，是在所述第1导电型阱区域中注入导电型与所述第1导电型阱区域相同的杂质而形成的；第1及第2相邻栅极，其分别配置在所述第1阱电位供给区域的所述第2方向上的两侧；第3相邻栅极，在所述第1阱电位供给区域的相反侧相邻地配置了该第3相邻栅极；和第4相邻栅极，在所述第1阱电位供给区域的相反侧相邻地配置了该第4相邻栅极，在所述第2方向上以同一间距配置所述第1～第4相邻栅极，并且，所述多个单元列之中的、在所述第1方向上与所述第1单元列相邻的第1相邻单元列具有4根栅极，该4根栅极在所述第1方向上分别与所述第1～第4相邻栅极对置。