[发明专利]电子照相感光构件和电子照相设备

摘要

本发明提供一种具有a-SiC上部电荷注入阻止层和a-SiC表面层的电子照相感光构件，其粘附性优异、抑制表面劣化，感光度特性和带电特性优异，并可长期保持足够的图像形成能力。相对于上部电荷注入阻止层中的硅原子，上部电荷注入阻止层包含10原子ppm以上至30,000原子ppm以下的周期表第13族原子或第15族原子，和上部电荷注入阻止层中的碳原子数(C)与上部电荷注入阻止层中的硅原子数和碳原子数之和的比(C/(Si+C))为0.10以上至0.60以下；和表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度之和为6.60×1022原子/cm3以上，和表面层中的碳原子数(C)相对于硅原子数(Si)和碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下。

主权项

一种电子照相感光构件，其包含导电性基体、在所述导电性基体上的由非晶硅形成的下部电荷注入阻止层、在所述下部电荷注入阻止层上的由非晶硅形成的光导电层、在所述光导电层上的由氢化非晶碳化硅形成的上部电荷注入阻止层和在所述上部电荷注入阻止层上的由氢化非晶碳化硅形成的表面层，其中相对于所述上部电荷注入阻止层中的硅原子，所述上部电荷注入阻止层包含10原子ppm以上至30,000原子ppm以下的周期表第13族原子或第15族原子，和所述上部电荷注入阻止层中的碳原子数(C)与所述上部电荷注入阻止层中的硅原子数(Si)和碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))为0.10以上至0.60以下；和所述表面层中硅原子的原子密度与碳原子的原子密度之和为6.60×1022原子/cm3以上，和所述表面层中的碳原子数(C)与所述表面层中的硅原子数(Si)和碳原子数(C)之和的比(C/(Si+C))为0.61以上至0.75以下。