[发明专利]具有掺杂的外延区域的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的实施例描述了半导体器件上的外延区域。在一个实施例中，通过循环的沉积‑蚀刻工艺来在衬底上沉积所述外延区域。用外延帽层来回填在循环的沉积‑蚀刻工艺期间在间隔体下方产生的空腔。所述外延区域和外延帽层改善了沟道区域的电子迁移率，减小了短沟道效应并降低了寄生电阻。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：提供具有栅极电极的衬底和形成在所述栅极电极的侧壁上的间隔体；蚀刻所述衬底，以形成凹陷的界面；通过将所述衬底交替地暴露于第一前驱物和第二前驱物，而在所述凹陷的界面上形成外延区域，其中将所述衬底交替地暴露于所述第一前驱物和所述第二前驱物包括：将所述衬底暴露于所述第一前驱物，以便在所述凹陷的界面上沉积外延膜，并且在所述侧壁和所述间隔体的底表面上沉积非晶层；以及将所述衬底暴露于所述第二前驱物，以从所述侧壁和所述间隔体的所述底表面去除所述非晶层；以及在所述外延区域上选择性地沉积帽层，其中在所述凹陷的界面上形成所述外延区域导致了所述外延区域和所述间隔体的所述底表面之间的空隙；并且其中所述帽层回填所述空隙。