[发明专利]一种用于获得多晶硅半导体材料，特别是硅的设备，以及一种控制其温度的方法无效
| 申请号： | 201080058771.6 | 申请日： | 2010-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102753736A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 发布里奇奥·杜吉罗;米歇尔·福尔赞;达里奥·齐斯卡托;马里奥力诺·切萨诺;发布里奇奥·克里韦洛;罗伯托·贝基尼 | 申请（专利权）人： | 赛亚特股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;B22D27/04;F27B14/14;H05B6/36;H05B6/44;C30B29/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 一种用于获得多晶硅的设备(1)，包括：用于盛装硅的至少一个由石英制成的坩埚(3)，可移去地装在一个杯形石墨容器(4)内；流体密封的并且能打开的罩(5)；顶部感应线圈(12)，面向所述坩埚设置，两者之间设有石墨板(14)；横向感应线圈(16)，绕石墨容器的侧壁(17)设置；以及底部感应线圈(18)，面向石墨容器的底壁(19)设置并可垂直地移动用于改变其距底壁的距离(D)；以及相互独立地为感应线圈提供电源的第一装置(20)；以及在感应线圈的各中空匝中提供冷却剂的第二装置(21)；底部感应线圈包括4个螺旋绕组(31-34)，根据方格图案在同一平面上彼此相邻设置，所述平面由绝缘支撑板(35)设定；电气开关装置(40)使得4个绕组(31-34)根据不同的配置彼此选择性地连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 获得 多晶 半导体材料 特别是 设备 以及 控制 温度 方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体材料(2)的熔化和随后定向凝固，特别是为获得具有“太阳能”纯度的多晶硅的设备(1)，包括至少一个用于所述半导体材料的坩埚(3)，优选由石英或陶瓷材料制成，可移去地装在杯形石墨容器(4)内；至少一个顶部感应线圈(12)，面向所述石墨容器的开口(15)设置，顶部感应线圈(12)和开口(15)之间至少设有与顶部感应线圈(12)可操作的相关联的石墨板(14)；至少一个横向感应线圈(16)，围绕所述石墨容器的侧壁(17)设置；至少一个底部感应线圈(18)，面向所述石墨容器的底壁(19)设置；用于分别并且独立地供应所述感应线圈(12，16，18)的交流供电装置(20)；以及用于在所述感应线圈的各中空匝(13)中提供冷却剂的冷却装置(21)；作为整体，所述设备的特征在于：‑所述至少一个底部感应线圈(18)包括多个绕组(31‑34)，所述多个绕组彼此相邻设置并位于由绝缘支撑板(35)所设定的同一平面上；‑电气开关装置(40)，预先设置在所述至少一个底部感应线圈(18)的绕组(31‑34)与各交流供电装置(20)之间，用于根据不同的配置选择性地互相连接交流供电装置(20)和绕组(31‑34)。
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