[发明专利]纳米线隧道二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201080058846.0 | 申请日： | 2010-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102656700A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | M.博格斯特雷姆;M.赫尔林;S.费尔特 | 申请（专利权）人： | 索尔伏打电流公司 |
| 主分类号： | H01L29/885 | 分类号： | H01L29/885;B82B1/00;H01L29/06;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马永利;李浩 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明提供一种隧道二极管及其制造方法。隧道二极管包括形成至少部分在纳米线（1）内的pn结（6）的p掺杂半导体区域（4）和n掺杂半导体区域（5）。优选地，纳米线（1）由形成同质结或者异质结隧道二极管的一种或者多种化合物半导体材料制成。异质结隧道二极管可以是类型I（跨骑间隙）、类型II（交错间隙）或者类型III（断裂间隙）。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 隧道二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种隧道二极管，包括形成pn结（6）的p掺杂半导体区域（4）和n掺杂半导体区域（5），其特征在于所述pn结（6）的至少部分形成于纳米线（1）内。
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