[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法

摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。

主权项

一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：激光器构造体，其包含由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及电极，其设于上述激光器构造体的上述半导体区域上，上述半导体区域含有由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、以及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层含有氮化镓系半导体层，上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴，相对于上述法线轴而向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向以角度CALPHA倾斜，上述激光器构造体包含与m‑n面交叉的第1及第2切断面，该m‑n面由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴所界定，该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含上述第1及第2切断面，上述激光器构造体包含第1及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述第1及第2切断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，上述法线轴与上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴所成的角度处于45度以上80度以下或者100度以上135度以下的范围，上述激光器构造体包含在上述支撑基体的上述半极性主面上延伸的激光波导路，上述激光波导路在波导路向量的方向上延伸，该波导路向量的方向自上述第1及第2切断面的一方朝向另一方，上述第1切断面在与上述m‑n面正交的第1平面内相对于与上述波 导路向量正交的基准面以角度β倾斜，上述角度β在上述第1切断面中的上述支撑基体的端面上被界定，上述第1切断面在与上述m‑n面正交的第2平面内相对于上述基准面以角度α倾斜，上述角度α在上述第1切断面中的上述活性层的端面上被界定，上述角度α与上述角度β不同，上述角度α及上述角度β具有相同的符号，上述角度α与上述角度β的差为0.1度以上。