[发明专利]用于互连的自对准阻挡层和封盖层

摘要

提供了用于集成电路中铜导线的集成电路用互连结构和用于制造这种互连结构的方法。含有Mn、Cr和V的层形成抵抗铜从所述导线扩散出来的阻挡体，从而保护绝缘体免于过早断裂并且保护晶体管免于被铜降解。含有Mn、Cr和V的层还增进铜和绝缘体之间的强有力附着，因而保持器件在制造和使用期间的机械完整性，以及在器件的使用期间保护免遭因铜的电迁移所致的失效并且保护铜免受来自其环境的氧或水腐蚀。在形成此类集成电路时，本发明的某些实施方案提供了在铜表面上选择性沉积Mn、Cr、V或Co同时减少或甚至防止Mn、Cr、V或Co在绝缘体表面上沉积的方法。使用含有Mn、Cr或V的前体和含有碘或溴的前体，还提供铜的催化性沉积。

主权项

一种用于形成集成电路互连结构的方法，所述方法包括：a)提供部分完成和平面化的互连结构，其包含电绝缘表面和导电性含铜表面；b)在所述电绝缘表面上沉积包含两种或更多种化合物的保护剂以协同地降低所述电绝缘表面对包含锰、钴、铬或钒的前体的亲和力；c)在所述导电性含铜表面的至少一部分上选择性沉积选自锰、钴、铬和钒的金属。