[发明专利]III族氮化物半导体激光器元件及制作III族氮化物半导体激光器元件的方法

摘要

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。

主权项

一种III族氮化物半导体激光器元件，其包括：激光器构造体，其包含由六方晶系III族氮化物半导体构成且具有半极性主面的支撑基体、及设于上述支撑基体的上述半极性主面上的半导体区域；以及电极，其设于上述激光器构造体的上述半导体区域上，上述半导体区域包含由第1导电型氮化镓系半导体构成的第1包覆层、由第2导电型氮化镓系半导体构成的第2包覆层、及设于上述第1包覆层与上述第2包覆层之间的活性层，上述第1包覆层、上述第2包覆层及上述活性层沿上述半极性主面的法线轴排列，上述活性层包含氮化镓系半导体层，上述支撑基体的上述六方晶系III族氮化物半导体的c轴相对于上述法线轴而向上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴的方向以有限的角度ALPHA倾斜，上述角度ALPHA在45度以上80度以下或100度以上135度以下的范围，上述激光器构造体包含与由上述六方晶系III族氮化物半导体的m轴及上述法线轴所界定的m‑n面交叉的第1及第2切断面，该III族氮化物半导体激光器元件的激光谐振器包含上述第1及第2切断面，上述激光器构造体包含第1及第2面，上述第1面为上述第2面的相反侧的面，上述半导体区域位于上述第2面与上述支撑基体之间，上述第1及第2切断面分别自上述第1面的边缘延伸至上述第2面的边缘，上述激光器构造体的上述支撑基体在上述第1切断面具有设于上述第1面的上述边缘的一部分上的凹部，该凹部自上述支撑基体的背面延伸，且该凹部的末端与上述激光器构造体的上述第2面的边缘相隔。