[发明专利]多晶硅的制造方法及四氯化硅的制造方法无效
| 申请号： | 201080059156.7 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102686514A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 笼桥亘;堀川松秀;垣內康辅 | 申请（专利权）人： | JNC株式会社;JX日矿日石金属株式会社;东邦钛株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C01B33/033;C01B33/107 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孙秀武;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供多晶硅以及四氯化硅的制造方法，其中在多晶硅的制造工艺中，可以使用廉价且可稳定供给的原料，顺利地进行氯化反应，氯化反应后的杂质得到抑制，可以有效地利用能量来进行制造。该多晶硅的制造方法的特征在于，包含：将由二氧化硅和含碳物质构成的造粒体氯化，生成四氯化硅的氯化步骤、将四氯化硅用还原剂金属还原而生成多晶硅的还原步骤、和将在还原步骤中副生成的还原剂金属氯化物熔盐电解而生成还原剂金属和氯气的电解步骤，氯化步骤中，在氧气共存下向二氧化硅和含碳物质供给氯气使它们进行反应，电解步骤中生成的还原剂金属在还原步骤中作为四氯化硅的还原剂再利用，电解步骤中生成的氯气在氯化步骤中再利用。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 氯化 | ||
【主权项】：
多晶硅的制造方法，其为以二氧化硅为原料，经由四氯化硅制造多晶硅的方法，其特征在于，包含：将由所述二氧化硅和含碳物质构成的造粒体氯化，生成四氯化硅的氯化步骤、将所述四氯化硅用还原剂金属还原而生成多晶硅的还原步骤、和将在所述还原步骤中副生成的还原剂金属氯化物熔盐电解而生成还原剂金属和氯气的电解步骤，所述氯化步骤中，在氧气共存下向所述二氧化硅和所述含碳物质供给氯气，使它们进行反应，所述电解步骤中生成的所述还原剂金属在所述还原步骤中作为四氯化硅的还原剂再利用，所述电解步骤中生成的所述氯气在所述氯化步骤中再利用。
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