[发明专利]结晶性硅化钴膜的形成方法有效

专利信息
申请号: 201080059237.7 申请日: 2010-12-22
公开(公告)号: CN102656667A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 下田达也;松木安生;川尻陵 申请(专利权)人: 独立行政法人科学技术振兴机构;JSR株式会社
主分类号: H01L21/28 分类号: H01L21/28;H01L21/288
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孔青;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法,其特征在于:经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜,将该涂膜在550~900℃下加热的步骤,形成由第一层和第二层构成的双层膜,然后除去上述双层膜的上述第二层,其中,该第一层在由硅构成的表面上,由结晶性硅化钴构成;该第二层在该第一层上,含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中,X分别为氢原子或卤原子,n为1~10的整数,m为3~10的整数。
搜索关键词: 结晶 性硅化钴膜 形成 方法
【主权项】:
1. 结晶性硅化钴膜的形成方法,其特征在于:经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜,将该涂膜在550~900℃下加热的步骤,形成由第一层和第二层构成的双层膜,然后除去上述双层膜的上述第二层,其中,该第一层在由硅构成的表面上,由结晶性硅化钴构成;该第二层在该第一层上,含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子,式(1A)和(1B)中,X分别为氢原子或卤原子,n为1~10的整数,m为3~10的整数。
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