[发明专利]结晶性硅化钴膜的形成方法有效
申请号: | 201080059237.7 | 申请日: | 2010-12-22 |
公开(公告)号: | CN102656667A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 下田达也;松木安生;川尻陵 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人科学技术振兴机构;JSR株式会社 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/288 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孔青;李炳爱 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法,其特征在于:经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜,将该涂膜在550~900℃下加热的步骤,形成由第一层和第二层构成的双层膜,然后除去上述双层膜的上述第二层,其中,该第一层在由硅构成的表面上,由结晶性硅化钴构成;该第二层在该第一层上,含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中,X分别为氢原子或卤原子,n为1~10的整数,m为3~10的整数。 | ||
搜索关键词: | 结晶 性硅化钴膜 形成 方法 | ||
【主权项】:
1. 结晶性硅化钴膜的形成方法,其特征在于:经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜,将该涂膜在550~900℃下加热的步骤,形成由第一层和第二层构成的双层膜,然后除去上述双层膜的上述第二层,其中,该第一层在由硅构成的表面上,由结晶性硅化钴构成;该第二层在该第一层上,含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子,式(1A)和(1B)中,X分别为氢原子或卤原子,n为1~10的整数,m为3~10的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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