[发明专利]抗蚀剂下层组合物以及使用该组合物制造半导体集成电路器件的方法无效
| 申请号： | 201080059506.X | 申请日： | 2010-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102713757A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 尹熙灿;金相均;赵显模;金美英;高尚兰;丁龙辰;金钟涉 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;G03F7/075 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种抗蚀剂下层组合物，包括：有机硅烷类缩聚物以及溶剂。该有机硅烷类缩聚物以10到40mol%由说明书中化学式1表示的结构单元提供。因此，本发明提供一种可传输优异图案以形成具有优异的存储稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂下层的抗蚀剂下层组合物，且本发明还涉及使用该抗蚀剂下层组合物制造半导体集成电路器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 下层 组合 以及 使用 制造 半导体 集成电路 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂下层组合物，包括：有机硅烷缩聚产物，包括10到40mol%的由以下化学式1表示的结构单元，以及溶剂：[化学式1]![]()
其中，在化学式1中，ORG选自由C6到C30官能团组成的组中，所述官能团包括取代的或未取代的芳香环、C1到C12烷基、以及-Y-{Si(OR)3}a，且R是C1到C6烷基，Y是直链或支链的取代的或未取代的C1到C20亚烃基；或主链中包括选自由以下组成的组中的取代基的C1到C20亚烃基：亚烯基、亚炔基、亚芳基、杂环基、脲基、异氰尿酸酯基、及其组合，且a是1或2。
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