[发明专利]MEMS制造中的多材料辅助金属化方案有效
申请号: | 201080059561.9 | 申请日: | 2010-10-29 |
公开(公告)号: | CN105359266B | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 蒙特雷·李维 | 申请(专利权)人: | 爱德万测试美国公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 李剑 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请提供了制造MEMS的处理,利用了被集成到最终MEMS结构的主金属以及两种或更多种牺牲性辅助金属,辅助金属在机加工期间给主金属构件提供结构支撑。第一辅助金属被薄薄地镀在主金属周围和衬底的整个表面上方而不使用光刻。第二辅助金属然后被厚厚地镀在所沉积的第一辅助金属上方而不使用光刻。另外,还公开了使第一辅助金属在主金属特征之间的沉积速率增大的技术,其防止空洞化并从而增强机加工期间主金属的结构支撑。 | ||
搜索关键词: | mems 制造 中的 材料 辅助 金属化 方案 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造多层微电机系统的方法,包括:a)提供由衬底支撑的主金属结构;b)在所述主金属结构周围并且在所述衬底的整个表面上方以薄层沉积第一牺牲性辅助金属;c)在所述第一牺牲性辅助金属周围并且在所述衬底的整个表面上方以厚层沉积第二牺牲性辅助金属;d)对所述主金属、所述第一牺牲性辅助金属和所述第二牺牲性辅助金属进行机加工;e)重复步骤a)-d),直到制造成所需的多层结构;以及f)从经过机加工的所述主金属结构蚀刻掉所述第一牺牲性辅助金属和所述第二牺牲性辅助金属,以形成多层微电机系统,其中,所沉积的第二牺牲性辅助金属比所述第一牺牲性辅助金属密度低,使得这些金属的组合不造成所述衬底翘曲。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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