[发明专利]磁性隧道结装置及制造有效
| 申请号： | 201080059572.7 | 申请日： | 2010-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN102741934A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李霞;升·H·康;朱晓春 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种磁性隧道结MTJ装置及制造方法。在一特定实施例中，揭示一种方法，所述方法包括在底部电极(110，702)上方形成磁性隧道结结构(202)。所述方法还包括在所述磁性隧道结结构上方且邻近于所述磁性隧道结结构形成扩散障壁层(302，402)。所述方法进一步包括回蚀所述扩散障壁层，从而移除所述磁性隧道结结构上方的所述扩散障壁层。所述方法还包括将所述磁性隧道结结构的顶部连接到导电层(604，704)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧道 装置 制造 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含：在底部电极上方形成磁性隧道结结构；在所述磁性隧道结结构上方且邻近于所述磁性隧道结结构形成扩散障壁层；回蚀所述扩散障壁层，从而移除所述磁性隧道结结构上方的所述扩散障壁；及将所述磁性隧道结结构的顶部连接到导电层。
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