[发明专利]用于自由基增强薄膜沉积的氧自由基产生有效

专利信息
申请号: 201080059857.0 申请日: 2010-12-29
公开(公告)号: CN102753726A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: E.R.迪基;W.A.巴罗 申请(专利权)人: 莲花应用技术有限责任公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/50;C23C16/511;C23C16/30;H01L21/205
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 艾尼瓦尔;李炳爱
地址: 美国俄*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种自由基增强原子层沉积(REALD)的方法包括使基片交替暴露于第一前体气体(224)和从含氧第二前体气体(226)产生的自由基,如单原子氧自由基(O·),同时保持自由基和第一前体气体空间或暂时分离。当第一和第二前体气体在一般处理条件下为非反应性时,简化反应器设计(210)和过程控制是可能的,因此,可允许在自由基重组或另外消除后混合。在一些实施方案中,第二前体气体(226)为含氧化合物,如二氧化碳(CO2)或氧化亚氮(N2O)或这些含氧化合物的混合物,且不包含显著量正常氧(O2)。
搜索关键词: 用于 自由基 增强 薄膜 沉积 产生
【主权项】:
一种沉积薄膜的方法,所述方法包括:将第一前体气体引入前体室;将包含气体含氧化合物的第二前体气体流注入氧化区域,所述氧化区域不同于前体室,并且由一个或多个流限制通道延伸通过的隔板与其分离,第二前体气体基本与第一前体气体为非反应性,并且不含显著量正常氧气(O2);从前体室排气,以便至少一些第二前体气体从氧化区域流动通过通道,并进入前体室,从而阻止第一前体气体转移进入氧化区域;使基片在前体室和氧化区域之间沿着输送路径前后输送多次,输送路径延伸通过至少一些通道,并进入前体室,其中第一前体气体作为化学吸附物质化学吸附到基片的表面;并且在接近输送路径的氧化区域从第二前体气体产生等离子体,等离子体包含不稳定氧自由基物质,基片在输送通过氧化区域时暴露于这些不稳定氧自由基物质,不稳定自由基物质与化学吸附物质为反应性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于莲花应用技术有限责任公司,未经莲花应用技术有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080059857.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top