[发明专利]以可变的氮/氢比所制造的自由基来生长介电薄膜的方法无效
| 申请号： | 201080059994.4 | 申请日： | 2010-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102687252A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 梁璟梅;X·陈;M·L·米勒;N·K·英格尔;S·文卡特拉马 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/205;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭;邢德杰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述形成介电层的方法。本方法可包括以下步骤：混合含硅前驱物与氮自由基前驱物，以及沉积介电层至基板上。氮自由基前驱物在远端等离子体中藉由将氢(H2)及氮(N2)流动至等离子体中以便允许调整氮/氢比例所形成。介电层起初为含硅及氮层，所述含硅及氮层可藉由在含氧环境中固化和/或退火薄膜而转化为含硅及氧层。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 制造 自由基 生长 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在基板处理腔室的无等离子体基板处理区域中在基板上形成介电层的方法，所述方法包含：流动含氮及氢气体至等离子体区域中以产生氮自由基前驱物，其中所述含氮及氢气体包含氢(H2)及氮(N2)以允许进入所述等离子体区域中的氮:氢原子流量比的选择有更大的可变性；在所述无等离子体基板处理区域中将含硅前驱物与所述氮自由基前驱物结合；以及沉积所述介电层至所述基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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