[发明专利]NTC热敏电阻用半导体瓷器组合物及NTC热敏电阻有效
| 申请号： | 201080060023.1 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102686532A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 三上三知 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;H01C7/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种NTC热敏电阻用半导体瓷器组合物，其焙烧温度依赖性低，且可缩小电阻调整操作后的电阻值的偏差，又，可缩小高温环境下的电阻变动。本发明涉及用以构成NTC热敏电阻(1)的部件本体(2)所使用的半导体瓷器组合物，其包含Mn、Ni及Fe，Mn与Ni合计设为100摩尔％时，各个元素的摩尔比率为Mn：70～80摩尔％，Ni：20～30摩尔％，且将Mn与Ni的总摩尔量设为100摩尔份时，Fe含量为15摩尔份以上且25摩尔份以下。较佳为将Mn与Ni的总摩尔量为100摩尔份时，以2摩尔份以上且40摩尔份以下的范围还含有Co。 | ||
| 搜索关键词： | ntc 热敏电阻 半导体 瓷器 组合 | ||
【主权项】：
一种NTC热敏电阻用半导体瓷器组合物，其特征在于，包含Mn、Ni及Fe，将Mn和Ni合计设为100摩尔％时，各个元素的摩尔比率为Mn：70～80摩尔％，Ni：20～30摩尔％，且将Mn和Ni的总摩尔量设为100摩尔份时，Fe的含量为15摩尔份以上且25摩尔份以下。
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