[发明专利]光电子半导体芯片以及基于AlGaN的中间层的应用有效
| 申请号： | 201080060178.5 | 申请日： | 2010-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102687289A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;尼古劳斯·格迈因维泽;泷哲也;汉斯-于尔根·卢高尔;亚历山大·沃尔特 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/22;H01L33/16;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： |
在光电子半导体芯片(100)的至少一种实施方式中，它包含基于GaN、InGaN、AlGaN和/或InAlGaN的半导体层序列(1)。半导体层序列(1)包含p掺杂的层序列(2)，n掺杂的层序列(4)，和位于p掺杂的层序列(2)与n掺杂的层序列(4)之间的有源区(3)。半导体层序列(1)另外包含至少一个基于AlxGa1-xN的中间层(5)，其中0 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 以及 基于 algan 中间层 应用 | ||
【主权项】：
光电子半导体芯片(100)，具有基于GaN、InGaN、AlGaN和/或InAlGaN的、外延生长的半导体层序列(1)，所述半导体层序列包含：‑p掺杂的层序列(2)，‑n掺杂的层序列(4)，‑有源区(3)，所述有源区设置用于产生电磁辐射并位于所述p掺杂的层序列(2)与所述n掺杂的层序列(4)之间，和‑至少一个基于AlxGa1‑xN的中间层(5)，其中0
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