[发明专利]发光半导体芯片有效
| 申请号： | 201080060204.4 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102687290A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;亚历山大·沃尔特;泷哲也;于尔根·奥弗;赖纳·布滕戴奇;约阿希姆·赫特功 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出一种半导体芯片（1），其具有带有半导体层序列的半导体本体（2），其中用于产生辐射的有源区域（20）设置在n型导电的多层结构（21）和p型导电的半导体层（22）之间。在n型导电的多层结构中，形成具有至少一个掺杂尖峰（4）的掺杂分布。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
半导体芯片（1），具有带有半导体层序列的半导体本体（2），其中‑所述半导体层序列具有n型导电的多层结构（21）、p型导电的半导体层（22）和设置用于产生辐射的有源区域（20），所述有源区域设置在所述n型导电的多层结构和所述p型导电的半导体层之间；并且‑在所述n型导电的多层结构中形成具有至少一个掺杂尖峰（4）的掺杂分布。
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