[发明专利]硅真空熔化方法无效
| 申请号： | 201080060821.4 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102712482A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 金子恭二郎 | 申请（专利权）人： | 金子恭二郎 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明利用具备炉体容器(100)、设在炉体容器(100)内部的水冷铜坩埚(200)、以及保持硅电极(S)的支撑棒(300)的装置。在水冷铜坩埚(200)内隔着规定间隔配置硅电极(S)后，使炉体容器(100)内成为真空状态，通过在硅电极(S)和水冷铜坩埚(200)之间加载电压，使硅电极(S)通电而熔化。将熔化硅(S’)的上部维持在熔化状态的同时，在被冷却的水冷铜坩埚(200)内从底部依次凝固熔化硅(S’)。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 熔化 方法 | ||
【主权项】：
一种硅真空熔化方法，其特征在于，利用具备炉体容器、设在该炉体容器内部的导电性的坩埚、以及保持硅的支撑棒的装置，在上述坩埚内隔着规定间隔配置硅后，使上述炉体容器内成为真空状态，通过在硅和上述坩埚加载电压，将硅作为电极材料进行通电而熔化，将熔化的硅的上部维持在熔化状态的同时，在被冷却的上述坩埚内从底部依次凝固熔化的硅。
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