[发明专利]电子发射元件以及具备该电子发射元件的摄像装置有效
申请号: | 201080060892.4 | 申请日: | 2010-01-07 |
公开(公告)号: | CN102696089A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 吉成正树;秋山周哲;中井淳 | 申请(专利权)人: | 日本先锋公司;日本先锋微电子技术公司 |
主分类号: | H01J1/312 | 分类号: | H01J1/312;H01J29/04;H01J31/28 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;龚晓娟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的技术问题是提供一种即使设置聚焦电极层(8),栅电极层(6)以及聚焦电极层也不会借助碳层(11)导通的面发射型电子发射元件(1)以及具有该电子发射元件的摄像装置。作为解决上述技术问题的手段,电子发射元件具有:从面发射部(9)发射电子的电子发射层(3);栅电极层,其隔着第1绝缘体层(5)成膜在电子发射层的表面;聚焦电极层,其隔着第2绝缘体层(7)成膜在栅电极层的表面,使发射出的电子聚焦;发射凹部(10),其贯通聚焦电极层、第2绝缘体层、栅电极层以及第1绝缘体层,在面发射部的表面开口成凹状;以及碳层,其成膜在从聚焦电极层的表面直至发射凹部的内周面,碳层在第2绝缘体层的层端面向的发射凹部的成膜部分具有环状的不连续部(11a)。 | ||
搜索关键词: | 电子 发射 元件 以及 具备 摄像 装置 | ||
【主权项】:
一种电子发射元件,其中,该电子发射元件具有:电子发射层,其从面发射部发射电子;栅电极层,其隔着第1绝缘体层成膜在所述电子发射层的表面;聚焦电极层,其隔着第2绝缘体层成膜在所述栅电极层的表面,使发射出的电子聚焦;发射凹部,其贯通所述聚焦电极层、所述第2绝缘体层、所述栅电极层以及所述第1绝缘体层,在所述面发射部的表面开口成凹状;以及碳层,其从所述聚焦电极层的表面一直成膜到所述发射凹部的内周面,所述碳层在所述第2绝缘体层的层端所面向的所述发射凹部的成膜部分处具有环状的不连续部。
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