[发明专利]电极保护膜形成剂有效
| 申请号： | 201080061316.1 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102713736A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 元山贤一;村梶庆太 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;C08G77/26 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供即使用150℃以下的低温烧成也能够形成足够硬度的电极保护膜的电极保护膜形成剂、电极保护膜以及具有该电极保护膜的电子器件。尤其是用于显示元件时，能够形成小洞和气孔的产生被抑制了的液晶取向膜的电极保护膜形成剂。一种电极保护膜形成剂，其含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷是将含有式（1）的化合物和选自式（2）的化合物中至少一种化合物的烷氧基硅烷缩聚而得到。R1Si(OR2)3 (1)（R1是含有脲基的碳原子数1～8的烃基，R2表示碳原子数1～5的烷基）。(R3)nSi(OR4)4-n (2)（R3为取代或未取代的碳原子数1～8的烃基，R4为碳原子数1～5的烷基，n表示0～3的整数）。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 保护膜 形成 | ||
【主权项】：
一种电极保护膜形成剂，其特征在于，含有聚硅氧烷，所述聚硅氧烷是将含有式（1）表示的烷氧基硅烷和选自式（2）表示的烷氧基硅烷的至少一种化合物的烷氧基硅烷缩聚而得到，R1{Si(OR2)3}P (1)R1为被脲基取代的碳原子数1～12的烃基，R2为碳原子数1～5的烷基，p表示1或2的整数，(R3)nSi(OR4)4‑n (2)R3为氢原子或可被杂原子、卤原子、乙烯基、氨基、环氧丙氧基、巯基、甲基丙烯酰氧基、异氰酸酯基或丙烯酰氧基取代的碳原子数1～8的烃基，R4为碳原子数1～5的烷基，n表示0～3的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日产化学工业株式会社，未经日产化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080061316.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
