[发明专利]单片热电模块无效
申请号: | 201080061421.5 | 申请日: | 2010-11-11 |
公开(公告)号: | CN102782855A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 马修·L·斯卡林 | 申请(专利权)人: | 阿尔法贝特能源公司 |
主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16;H01L35/04 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 苗源;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种用于热电应用的单片装置包括一个或多个第一热电元件和一个或多个第二热电元件,其分别包括基板材料的第一图案化部分和第二图案化部分。每个第一/第二热电元件被配置成功能化为热电优值ZT大于0.2的n/p型半导体。部分地功能化为热隔离和/或部分电互连的中间区域将第二图案化部分与第一图案化部分分开。一个或多个第一热电元件和一个或多个第二热电元件在空间上被配置成允许形成第一接触区域和第二接触区域,第一接触区域和第二接触区域分别连接到一个或多个第一热电元件中每一个和/或一个或多个第二热电元件中的每一个以形成连续电路。 | ||
搜索关键词: | 单片 热电 模块 | ||
【主权项】:
一种用于热电应用的单片装置,所述装置包括:一个或多个第一热电元件,其包括基板材料的第一图案化部分,所述一个或多个第一热电元件中的每一个都配置成功能化为n型半导体,其具有0.2和更大的热电优值ZT;以及一个或多个第二热电元件,其包括基板材料的第二图案化部分,所述第二图案化部分由中间区域与所述第一图案化部分开,所述一个或多个第二热电元件中的每一个都配置成功能化为p型半导体,其具有0.2和更大的热电优值ZT;其中所述一个或多个第一热电元件和所述一个或多个第二热电元件在空间上被配置成允许形成第一接触区域和第二接触区域,所述第一接触区域和第二接触区域分别连接到所述一个或多个第一热电元件中每一个和/或所述一个或多个第二热电元件中的每一个以形成连续电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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