[发明专利]等离子体源的设计无效
| 申请号： | 201080061569.9 | 申请日： | 2010-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102714913A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | D·卢博米尔斯基;J-G·杨;M·L·米勒;J·D·潘松三世;祝基恩 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍;张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例大体上提供等离子体源设备及该等离子体源设备的使用方法，通过使用电磁能量源，该等离子体源能够在等离子体生成区域中生成自由基及/或气体离子，而等离子体生成区域是对称地定位在磁性核心元件周围。大体而言，等离子体生成区域和磁性核心的方位及形状允许有效率地且均匀地将所传递的电磁能量耦合至布置在等离子体生成区域中的气体。大体而言，等离子体生成区域中形成的等离子体的改善的特征能够改善布置在等离子体生成区域下游的基片或处理腔室的一部分上所执行的沉积、蚀刻及/或清洁工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 设计 | ||
【主权项】：
一种耦接至处理腔室的等离子体源，其特征在于，包含：核心元件，所述核心元件具有第一端、第二端以及核心元件中心轴；第一等离子体块体，所述第一等离子体块体具有一个或多个表面，所述表面至少部分包围第一环形等离子体生成区域，其中所述第一环形等离子体生成区域布置在环绕所述核心元件的第一部分处；以及线圈，所述线圈布置于所述核心元件的一部分上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080061569.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
