[发明专利]LiCoO2烧结体的制造方法及溅射靶材无效

专利信息
申请号: 201080061594.7 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102770392A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 金豊;邹弘纲;桥口正一;三岛隆则;上园凉太 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C04B35/00 分类号: C04B35/00;C23C14/34;H01M4/525
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 蒋雅洁;孟桂超
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种可以稳定地制造高密度烧结体的LiCoO2烧结体的制造方法。本发明的实施方式涉及的LiCoO2烧结体的制造方法采用具有利用冷等静压法的成型工序和烧结工序的冷等静压-烧结法。成型压力设为1000kg/cm2以上,烧结温度设为1050℃以上1120℃以下,烧结时间设为2小时以上。由此,可以稳定地制造具有90%以上的相对密度、3kΩ·cm以下的电阻率、20μm以上50μm以下的平均粒径的LiCoO2烧结体。
搜索关键词: licoo sub 烧结 制造 方法 溅射
【主权项】:
一种LiCoO2粉末的制造方法,包括:用冷等静压法以1000kg/cm2以上的压力使LiCoO2粉末预成型,在1050℃以上1120℃以下的温度下对所述LiCoO2粉末的预成型体进行烧结。
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