[发明专利]制造光伏电池的方法、由该方法制造的光伏电池及其应用无效
申请号: | 201080061605.1 | 申请日: | 2010-11-17 |
公开(公告)号: | CN102754215A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 马拉特·扎克斯;加利纳·克洛莫伊茨;安德雷·西特尼科夫;奥列格·索洛杜卡;列夫·克赖宁;纳夫塔利·P·艾森伯格;尼涅利·博尔汀 | 申请(专利权)人: | 太阳能和风能科技公司;B-太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18;H01L31/0236 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 李丙林;张英 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了生产光伏电池的新方法,和由该方法产生的光伏电池及其应用。在一些实施方式中,本文中所描述的方法包括掺杂衬底,以在一个面上形成p+层而在另一面上形成n+层,在p+层上施加抗反射涂层,去除至少一部分的n+层,然后形成第二n+层,以使得在第二n+层中的n-掺杂物的浓度在衬底的整个表面是可变的。 | ||
搜索关键词: | 制造 电池 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种生产光伏电池的方法,所述方法包括:a)用n‑掺杂物掺杂半导电衬底的第一表面,以使得在所述衬底中形成第一n+层;b)用p‑掺杂物掺杂所述衬底的第二表面,以使得在所述衬底中形成p+层;c)向所述第二表面施加抗反射涂层,所述抗反射涂层包括选自由氮化硅和氮氧化硅组成的组中的物质;d)从所述衬底的所述第一表面去除部分的所述第一n+层,使得留在所述衬底的所述第一表面中的所述n‑掺杂物的浓度在整个所述第一个表面是可变的;e)用n‑掺杂物掺杂所述衬底的所述第一表面,以形成第二n+层,使得在所述第二n+层中的所述n‑掺杂物的浓度在整个所述第一表面是可变的;以及f)在所述第一表面和所述第二表面的上均形成电接触,由此产生所述光伏电池,其中,所述向所述第二表面施加所述抗反射涂层是在从所述第一表面去除所述部分的所述第一n+层之前或之后,并且在所述用所述n‑掺杂物掺杂所述衬底的所述第一表面以形成所述第二n+层之前进行。
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