[发明专利]用于DRAM故障校正的位替代技术无效

专利信息
申请号: 201080061838.1 申请日: 2010-11-10
公开(公告)号: CN102714061A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: F·A·韦尔;E·特塞恩;T·福格尔桑 申请(专利权)人: 拉姆伯斯公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C29/18;G11C11/40;G06F11/10
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 酆迅
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开的实施方案提供了一种动态存储器装置,包括一组动态存储器单元和一组替代动态存储器单元。该组替代动态存储器单元包括包含在该组动态存储器单元中的预定故障单元的替代数据位的数据单元和包含识别故障单元的地址位的地址单元,其中每个数据单元与识别在动态存储器单元中的相关联的故障单元的一组地址单元相关联。该动态存储器装置还包括一个重映射电路,该电路重映射在该组动态存储器单元中的故障单元到在该组替代单元中的相关联的替代单元。
搜索关键词: 用于 dram 故障 校正 替代 技术
【主权项】:
一种动态存储器装置,包括:一组动态存储器单元;一组替代动态存储器单元,包括:用于存储对于在一组动态存储器单元中的预定故障单元的替代数据位的单元;及与存储替代数据位的单元相关联的用于存储识别预定故障单元的地址位的地址单元;及重映射电路,该重映射电路被配置为用在该组替代动态存储器单元中的相关联的替代单元重映射对在该组动态存储器单元的一个单元的访问。
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