[发明专利]半导体保护膜形成用膜及半导体装置无效
| 申请号： | 201080061973.6 | 申请日： | 2010-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN102714186A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 平野孝;吉田将人 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/301;H01L21/683;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体保护膜形成用膜，是保护搭载于基板等结构体上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于上述结构体的面相反的一侧的面的半导体保护膜形成用膜，其特征在于，构成该半导体保护膜形成用膜的树脂组合物含有（A）热固化成分和（B）无机填充剂。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 保护膜 形成 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体保护膜形成用膜，其特征在于，是保护搭载于基材上且位于最外侧的半导体元件的与搭载于所述基材的面相反的一侧的面的半导体保护膜形成用膜，构成该半导体保护膜形成用膜的树脂组合物含有（A）热固化成分和（B）无机填充剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电木株式会社，未经住友电木株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080061973.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种非组培核桃微枝嫁接育苗方法
- 下一篇：自锁正畸托槽及其制作方法
