[发明专利]自由基成分CVD的原位臭氧固化

摘要

本案描述用以形成介电层的方法。所述方法包含混合含硅前驱物及等离子体流出物的步骤，以及在基板上沉积含硅及氮的层的步骤。通过在用来沉积所述含硅及氮的层的同一基板处理区域内在含臭氧气氛中进行固化，使所述含硅及氮的层转化成含硅及氧的层。可在所述含硅及氧的层上沉积另一含硅及氮的层，并且所述层堆叠可在臭氧中再次固化，皆无需从所述基板处理区域中移除所述基板。待完成整数倍的沉积-固化循环之后，可在含氧环境中在较高温度下退火以进行所述含硅及氧的层堆叠的转化。

主权项

一种在基板处理腔室内的基板处理区域中的基板上形成含硅及氧的层的方法，所述方法包括：在所述基板处理区域中的所述基板上形成含硅及氮的层，其中形成所述含硅及氮的层的步骤包括：使稳定气体流入等离子体区域，以产生等离子体流出物；在所述不含等离子体的基板处理区域中将含硅前驱物与所述等离子体流出物进行结合；及在所述基板上沉积含硅及氮的层；以及在所述基板处理区域内在含臭氧气氛中固化所述含硅及氮的层，以形成所述含硅及氧的层。