[发明专利]非导体基材镀敷的改良方法无效
| 申请号： | 201080062268.8 | 申请日： | 2010-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102714163A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·汉密尔顿;欧内斯特·朗;安德鲁·M·克罗尔 | 申请（专利权）人： | 麦克德米德尖端有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763;H01L21/44;H01L23/04 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 康涅*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了一种处理能够被激光活化的热塑性基材的方法，该热塑性基材中分散有金属化合物。该基材与一种含水组合物接触，该含水组合物包含：(i)硫醇官能有机化合物；(ii)乙氧基化醇表面活性剂；和(iii)黄原胶。通过使用该处理组合物，当该基材此后被激光活化并以无电镀敷方法镀敷时，可本质上消除基材上无关的镀敷。 | ||
| 搜索关键词： | 非导体 基材 改良 方法 | ||
【主权项】：
一种处理能够被激光活化的非导体基材的方法，该方法包括下列步骤：a)用含水组合物处理该非导体基材，该含水组合物包含：i)硫醇官能有机化合物；和ii)优选地，表面活性剂；b)有选择地激光活化该非导体基材的部分表面；c)将基材与无电镀浴接触，使得与激光接触的基材区域被镀敷，而未与激光接触的区域则不被镀敷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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