[发明专利]CMOS兼容的MEMS麦克风及其制造方法有效
| 申请号： | 201080062319.7 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102822084A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 王喆 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;H04R7/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及CMOS兼容的MEMS麦克风，其包括：SOI基底，其中，CMOS电路容纳在其硅器件层上；利用硅器件层的一部分形成的麦克风振膜，其中，麦克风振膜掺杂为导电性的；麦克风背板，包括夹有金属层的CMOS钝化层和多个通孔，设置在硅器件层的上方，其中，多个通孔形成在麦克风背板的与麦克风振膜相对的部分中，并且金属层形成背板的电极板；多个突出件，从与振膜相对的麦克风背板的下表面延伸；以及空气间隙，设置在振膜和麦克风背板之间，其中，构成空气间隙边界的隔离件设置在振膜之外或振膜边缘上，其中，在振膜下方的基底中形成背孔以允许声音通过，以及麦克风振膜用作电极板，与麦克风背板的电极板形成可变电容性传感元件。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 兼容 mems 麦克风 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS兼容的MEMS麦克风，包括：SOI基底，其中，CMOS电路容纳在该SOI基底的硅器件层上；利用所述硅器件层的一部分形成的麦克风振膜，其中，所述麦克风振膜掺杂为导电性的；麦克风背板，该麦克风背板包括夹有金属层的CMOS钝化层和多个通孔，该麦克风背板设置在所述硅器件层的上方，其中，所述多个通孔形成在该麦克风背板的与所述麦克风振膜相对的部分中，并且所述金属层形成为所述背板的电极板；多个突出件，该多个突出件从与所述振膜相对的麦克风背板的下表面延伸出来；以及空气间隙，该空气间隙设置在所述振膜和所述麦克风背板之间，其中，构成所述空气间隙的边界的隔离件设置在所述振膜之外或设置在所述振膜的边缘上，其中，在所述振膜下方的所述基底中形成背孔以允许声音通过，以及所述麦克风振膜用作电极板，以与所述麦克风背板的电极板形成可变电容性传感元件。
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